台积电在2nm半导体制造节点方面取得重大研究突破，有望在2023年中期进入2nm工艺试生产阶段，并在一年后开始批量生产。目前，台积电的最新制造工艺是5nm工艺，已用于生产A14仿生芯片。

　　据介绍，台积电的2nm工艺将采用差分晶体管设计。该设计被称为多桥沟道场效应(MBCFET)晶体管，它是对先前FinFET设计的补充。值得注意的是，这也是台积电第一次将MBCFET设计用于其晶体管。台积电一位高管对外表示，“我们乐观预计2023年下半年风险试产收益率将达到90%，这将有助于我们未来继续赢得苹果、汇达等主要厂商的大订单”。同时，他还提到，量产将于2024年开始。

　　台积电去年成立了2nm项目研发团队，寻找可行的发展路径。考虑到成本、设备兼容性、技术成熟度和性能等条件，2nm采用了基于环绕门（GAA）工艺的MBCFET。该结构解决了FinFET工艺收缩引起的电流控制泄漏的物理限制。